OBS! Ansökningsperioden för denna annonsen har
passerat.
Arbetsbeskrivning
Het onsemi SiC device R&D-team in Kista, Zweden, is op zoek naar een mid-level semiconductor device design engineer om ons team te versterken en te werken aan de ontwikkeling van nieuwe generatie siliciumcarbide MOSFET's. In deze functie werk je nauw samen met het team en voer je TCAD-simulaties uit voor het plannen van experimenteel ontwerp en processplitsingscondities en analyseer je resultaten na fabricage. De functie zal ook betrekking hebben op werk in elektrische karakterisering en lay-out voor de fabricage van fotomaskers.
Prestatiedoelstellingen:
De succesvolle kandidaat zal:
Werken met Sentaurus TCAD simulaties van SiC MOSFET's voor het plannen van experimenten en voor het analyseren van resultaten van elektrische karakterisering
Werk samen met het team met SiC MOSFET-ontwerp en voer Cadence-lay-outwerk uit voor maskerfabricage
Begrijp en overweeg details van procesintegratie in simulaties en ontwerpwerk
Elektrische karakterisering zoals IV- en CV-metingen voor SiC MOSFET-wafers en verpakte apparaten
Vat experimentele en simulatieresultaten samen in rapporten en presentaties met nauwkeurige conclusies
Vereiste kwalificaties:
MS-graad in elektrotechniek / natuurkunde met de nadruk op halfgeleiders plus 0-3 jaar professionele ervaring in de industrie of de academische wereld
Diepgaand begrip en oprechte interesse in de fysica van halfgeleiderapparaten
Ervaring met TCAD simulaties
Ervaring met elektrische karakterisering
Interesse in breed leren begrijpen van aspecten van het gedrag van elektrische apparaten tot SiC-procesintegratie
Sterke communicatieve vaardigheden in het Engels
Sterk verlangen en vermogen om te leren
Vermogen om zelfstandig te werken en initiatieven te nemen
Vaardigheden van teamspelers
Voorkeurskwalificatie:
Meer dan 1 jaar professionele ervaring met TCAD simulaties bij voorkeur met Sentaurus
Lay-out werkervaring bij voorkeur met Cadence
Basiskennis van halfgeleiderprocestechnologie
Python programmeerervaring